Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques de GaN

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dc.contributor.author Bouguerra fatima zohra
dc.date.accessioned 2021-06-27T12:37:07Z
dc.date.available 2021-06-27T12:37:07Z
dc.date.issued 2013-06-25
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/745
dc.description.abstract Dans ce mémoire nous avons utilisé un calcul Ab initio basé sur la théorie de DFT combinée avec la méthode de pseudo potentiel en utilisant le code appelé Abinit , ainsi que l’approximation de la densité local LDA , dans le but de calculer les propriétés structurales et électronique d’un composé de type III -V. C’est le nitrure de galium GaN qui se cristallise dans la phase zinc blend . ou nos résultats obtenus sont en très bon accord avec les données expérimentales ainsi que les valeurs calculées par les autres chercheurs . en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;EM/M/2013/19
dc.title Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques de GaN en_US
dc.type Thesis en_US


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