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dc.contributor.author |
Bouguerra fatima zohra |
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dc.date.accessioned |
2021-06-27T12:37:07Z |
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dc.date.available |
2021-06-27T12:37:07Z |
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dc.date.issued |
2013-06-25 |
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dc.identifier.uri |
https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/745 |
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dc.description.abstract |
Dans ce mémoire nous avons utilisé un calcul Ab initio basé sur la théorie de DFT
combinée avec la méthode de pseudo potentiel en utilisant le code appelé Abinit ,
ainsi que l’approximation de la densité local LDA , dans le but de calculer les
propriétés structurales et électronique d’un composé de type III -V. C’est le nitrure de
galium GaN qui se cristallise dans la phase zinc blend . ou nos résultats obtenus sont
en très bon accord avec les données expérimentales ainsi que les valeurs calculées par
les autres chercheurs . |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.publisher |
Faculté des Sciences et Technologies |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
;EM/M/2013/19 |
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dc.title |
Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques de GaN |
en_US |
dc.type |
Thesis |
en_US |
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