Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V

dc.contributor.author	Saadi, Boudrouaz
dc.date.accessioned	2021-09-19T08:54:33Z
dc.date.available	2021-09-19T08:54:33Z
dc.date.issued	2014
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1005
dc.description.abstract	La recherche dans le domaine des sciences des matériaux et en particulier des semiconducteurs a pris une ampleur considérable grâce à l‘enjeu économique du traitement de l‘information comme l’invention de transistor en 1947 depuis les chercheurs n’ont cessé de miniaturiser électronique. La technologie moderne basée sur l’amélioration de techniques de fabrication pour avoir meilleur fiabilité.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/L/PH/2014/03
dc.subject	Transistor, semi-conducteurs, jonction PN, MBE, MOCVD.	en_US
dc.title	Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V	en_US
dc.type	Thesis	en_US