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dc.contributor.author |
Aziza, BOUBAITI |
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dc.date.accessioned |
2021-09-21T08:15:05Z |
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dc.date.available |
2021-09-21T08:15:05Z |
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dc.date.issued |
2014 |
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dc.identifier.uri |
https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1018 |
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dc.description.abstract |
L’objective de ce travail est l’étude des sources laser et ces applications ioniques. Après un rappel abrégé sur les lasers; nous présenterons les différentes solutions actuellement étudiées pour avoir l’effet d’une sources actif d’un Laser sur l’ionisation d’un semi-conducteur en conservant l’activation par un champs électrique secondaire plus une bonne qualité spectrale et spatiale des photons . Nous exposons les mécanismes physiques conduisant à l’arrachement et l’endommagement des matériaux semi-conducteur. Nous commençons tout d’abord par les mécanismes d’excitation des électrons dans la bande de conduction et puis on va traiter les mécanismes de recombinaison du plasma électrons-trous libres |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.publisher |
Faculté des Sciences et Technologies |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
;SM/L/PH/2014/17 |
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dc.title |
Source laser actives à l’application ionique |
en_US |
dc.type |
Other |
en_US |
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