Modélisation d’un Transistor MOSFET SiC par régression

Abstract

Les MOSFET de puissance SiC sont d'excellents candidats pour les applications de commutation de puissance haute tension en raison de leur résistance à l'état passant plus faible et de leur vitesse de commutation plus rapide par rapport aux MOSFET de puissance. Dans ce mémoire, nous avons modélisé les caractéristiques statiques d’un MOSFET Commercial SiC 1,2 kV, 15 A. Nous avons utilisé les caractérisations réalisées par le constructeur, et qui sont souvent donnée dans sa datasheet et la régression pour définir les paramètres des modèles. Les régressions réalisées visent la caractérisation statique du MOSFET SiC 1,2 kV, 15 A, y compris la caractérisation de la sortie et du transfert, la caractérisation du courant de fuite de grille et de drain, la résistance à l'état passant et la caractérisation de la tension de seuil, la caractérisation de la diode de corps IV et la capacité à trois jonctions. Un modèle analytique consacré pour le courant de drain est développé et les résultats expérimentaux seront utilisés pour extraire les paramètres du modèle. Nous avons implémenté le modèle dans Simulink et réalisé des simulations dont les résultats sont acceptables. Comme perspective, on propose de réaliser la caractérisation dynamique qui détermine les temps de réponse d’ouverture et de fermeture du MOSFET.