Abstract:
Les sujets d'actualité tels que l'électro mobilité et les énergies renouvelables exigent le
développement de dispositifs d'alimentation à haute tension et des pertes de commutation
minimales. Parmi les dispositifs de puissance sur le marché actuel, les IGBT ont acquis
beaucoup d'importance dans ce domaine par rapport à leurs concurrents tels que les MOSFETS
de puissance et les thyristors
Ce travail porte sur la simulation du transistor IGBT, Le but de Ce travail est l'étude des
transistors IGBT à couches minces et de l'impact de différentes tailles de régions critiques sur
leurs caractéristiques électriques. En optimisant les tailles de régions critiques du dispositif. En
particulier, l'étude de l'impact de ces paramètres pour la tension de claquage. Un modèle
physique bidimensionnel d’IGBT a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS).
Les valeurs optimales de chaque simulation sont illustrées graphiquement et discutées. Les
résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour
développer des composants ou des dispositifs performants à base d’IGBTs. Enfin, une
conclusion pour notre simulation est présentée.
