Etude des propriétés structurales et électroniques des Semi-conducteurs binaires à base d’Indium de type InX (X=N, P, As et Sb).

Abstract

Dans ce mémoire, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques des composés semiconducteurs binaire à base d’indium de type InX (X=N, P, As, Sb) dans la phase zinc blende. Les calculs ont été effectués par la méthode de calcul dite ab initio en utilisant le code Abinit. Pour ce faire, notre étude est basée sur la DFT tout en utilisant l’approximation de la densité locale ( LDA) pour déterminer le potentiel d’échange et de corrélation. Les tests de convergence, les propriétés structurales et les propriétés électroniques (Structures de bandes, la densité d’état électronique DOS) des composés semi-conducteurs InN, InP, InAs, InSb, ont été calculés. Les résultats obtenus montrent que ces types de matériaux sont des semi-conducteurs à gap direct ce qui justifie son application dans le domaine optoélectronique. Nos résultats sont comparés à ceux de l’expérience et discutés. La grande déviation de nos résultats est constaté dans le cas de InN où on a justifié ça par la méta stabilité de ce matériau dans la phase zinc blende.