Etude des propriétés électroniques, optiques et diélectriques du composé binaire semi-conducteur InSb

Abstract

Nous rapportons une étude théorique des propriétés dans ce travail Electronique, optique et diélectriques des composés binaires (InSb). Le calcul est principalement basé sur la méthode du pseudopotentiel Approximation empirique (EPM) du cristal virtuel VCA. Nos résultats, pour les écarts directs et indirects, structure de bande, exposant Réfraction et permittivité statique et haute fréquence des composés binaires (InSb) cristallisant dans la phase zinc-blende, sont en bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques existants. Et prévision D'autres par manque de données. Abstract We report a theoretical study of the properties in this work Electronics, optics and dielectrics of binary compounds (InSb). The calculation is mainly based on the Empirical Pseudopotential Approximation (EPM) method of the VCA virtual crystal. Our results, for direct and indirect deviations, band structure, exponent Refraction and static and high frequency permittivity of binary compounds (InSb) crystallizing in the zinc-blende phase, are in good agreement with existing experimental and theoretical results. and fore cast Others for lack of data.