Parcourir Département Electromécanique par sujet "HEMT : transistors à grands mobilité électronique GaN : nitrure de gallium ADS : Advanced Design System LNA : amplificateurs a faible bruit"
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A l'heure actuelle, les transistors à hétérostructures HEMT (High Electron Mobility
Transistor) à base de nitrure de gallium apparaissent comme les meilleurs candidats pour les
applications hyperfréquences, de puissance, ...