Etude et simulation des cellules solaires à base de CIGS

Abstract

En résumé, cette étude présente une étude de simulation d'une cellule solaire basée sur CIGS. Incorporant une couche tampon 3C-SiC et utilisant des couches de champ de surface arrière (BSF) composées de PEDOT : PSS. Ces simulations sont réalisées à l'aide du simulateur SCAPS-1D. Les résultats démontrent quelles hétérostructures constituées de ZnO/3C-SiC/CIGS/PEDOT:PSS/Mo présentent une photo conversion remarquable efficacité. En outre, une analyse complète est menée pour explorer les effets de divers Paramètres, y compris l'épaisseur de l'absorbeur CIGS, PEDOT : épaisseur PSS, épaisseur 3C-SiC et température. Les résultats de la simulation révèlent une tension en circuit ouvert (Vco) optimale de 0.86 V, une densité de courant de court-circuit (Jcc) de 58 mA/ cm2, un facteur de remplissage (FF) de 82 % et une efficacité globale de 33%, ce qui correspond tous bien aux données rapportées dans les études précédentes. Cette simulation approfondie la recherche fournit non seulement des informations précieuses sur les facteurs complexes qui influencent les cellules solaires CIGS, mais indique également une direction prometteuse pour les progrès futurs dans le domaine.