Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs.

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dc.contributor.author Haddouche Samah
dc.date.accessioned 2024-10-14T14:09:30Z
dc.date.available 2024-10-14T14:09:30Z
dc.date.issued 2024-06-23
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/5583
dc.description.abstract Le travail de ce mémoire porte sur l’étude des différentes distributions ,ions implantés ,phonons et atomes déplacés, sous bombardement ionique dans le GaAs. Le programme SRIM nous permet de déterminer les différentes grandeurs en fonction des divers paramètres (énergie, masse de l’ion et celle de la cible). Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d’interaction ion-matière (pouvoirs d’arrêt). en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher faculté des sciences et de la technologie* univ bba en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/PH/2024/12
dc.subject SRIM ,GaAs ,implantions ionique en_US
dc.title Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs. en_US
dc.type Thesis en_US


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