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dc.contributor.author |
Lahcene, NASRI |
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dc.date.accessioned |
2021-06-09T11:35:13Z |
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dc.date.available |
2021-06-09T11:35:13Z |
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dc.date.issued |
2018-07-01 |
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dc.identifier.uri |
https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/630 |
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dc.description.abstract |
Le but de ce mémoire est d’étudier par voie de simulation les propreites optiques et
électroniques (en particulier la masse effective) des semi-conducteurs BAs et AlAs en utilisant
le code de calcul ab initio « ABINIT ». En effet on a calculé le paramètre de maille de la
structure cristalline (Zinc blende), le gap, la bande énergétique, la masse effective et la
constante diélectrique de ces matériaux. Un bon accord entre nos résultats et ceux de la
littérature. |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.publisher |
Faculté des Sciences et Technologies |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
;SM/M/PH/2018/21 |
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dc.title |
Les propriétés optiques et la masse effective des semi-conducteurs de type ZAs (Z=B, AL) |
en_US |
dc.type |
Thesis |
en_US |
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