Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)

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dc.contributor.author Oum El Kheir, Hammache
dc.date.accessioned 2021-06-22T09:24:07Z
dc.date.available 2021-06-22T09:24:07Z
dc.date.issued 2019-07-08
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/663
dc.description.abstract Dans ce travail, nous avons fait une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V et particulièrement le nitrure de Gallium (GaN) dans les phases Zinc blende et/ou wurtzite. Nos calculs ont été faits dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) à l’aide des codes CASTEP et ABINIT qui sont basés sur les pseudopotentiels et les ondes planes. Nos résultats présentent un bon accord avec d’autres résultats théoriques et expérimentaux pour les propriétés structurales et électroniques, contrairement à ceux relatifs aux propriétés vibrationnelles du GaN. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/PH/2019/01
dc.subject DFT, Nitrure de Gallium, Ondes planes, pseudopotentiels, CASTEP, ABINIT, DFPT. en_US
dc.title Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN) en_US
dc.type Thesis en_US


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