Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)

dc.contributor.author	Oum El Kheir, Hammache
dc.date.accessioned	2021-06-22T09:24:07Z
dc.date.available	2021-06-22T09:24:07Z
dc.date.issued	2019-07-08
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/663
dc.description.abstract	Dans ce travail, nous avons fait une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V et particulièrement le nitrure de Gallium (GaN) dans les phases Zinc blende et/ou wurtzite. Nos calculs ont été faits dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) à l’aide des codes CASTEP et ABINIT qui sont basés sur les pseudopotentiels et les ondes planes. Nos résultats présentent un bon accord avec d’autres résultats théoriques et expérimentaux pour les propriétés structurales et électroniques, contrairement à ceux relatifs aux propriétés vibrationnelles du GaN.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/2019/01
dc.subject	DFT, Nitrure de Gallium, Ondes planes, pseudopotentiels, CASTEP, ABINIT, DFPT.	en_US
dc.title	Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)	en_US
dc.type	Thesis	en_US