Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Etude des propriétés électroniques, optiques et diélectriques des semiconducteurs binaires InX (X= Sb, As, P et N)

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dc.contributor.author Khadra, MEHALI
dc.date.accessioned 2021-06-23T08:08:36Z
dc.date.available 2021-06-23T08:08:36Z
dc.date.issued 2019-07-06
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/667
dc.description.abstract Dans ce travail, nous avons fait une étude théorique sur les propriétés électroniques, optiques et diélectriques des composés binairessemiconducteurs III-V à base d’Indium cristallisant dans la phase Zinc-blende à savoir : InSb, InAs, InN et InP. Dans notre étude nous avons utilisés la méthode des pseudopotentielles empirique. Nos résultats sont en très bon accord avec d’autres résultats expérimentaux et théoriques, ce qui a permis de conclure que la méthode adaptée dans cette étude est valide dans la description des états électroniques des semiconducteurs binaires. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/pH/2019/10
dc.title Etude des propriétés électroniques, optiques et diélectriques des semiconducteurs binaires InX (X= Sb, As, P et N) en_US
dc.type Thesis en_US


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