Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium

dc.contributor.author	Siassi, Abderrahim
dc.date.accessioned	2021-06-23T10:30:48Z
dc.date.available	2021-06-23T10:30:48Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/689
dc.description.abstract	Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant : Silicium (Si), Germanium (Ge), Étain (Sn), et 3 structures de zincblende : Antimoniure d’aluminium (AlSb), Phosphure de Gallium (GaP), Arséniure de Gallium (GaAs) est calculée. Nous choisissons d’utiliser la méthode pseudopotentielle empirique avec le même modèle adopté par Cohen et bergstresser. Le modèle est codé à l’aide du langage de programmation Fortran et la diagonale est élaborée à l’aide des bibliothèques LAPACK.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/2020/14
dc.title	Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium	en_US
dc.type	Thesis	en_US