Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium

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dc.contributor.author Abderrahim, Siassi
dc.date.accessioned 2021-06-23T12:25:44Z
dc.date.available 2021-06-23T12:25:44Z
dc.date.issued 2020
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/690
dc.description.abstract Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant : Silicium (Si), Germanium (Ge), Étain (Sn), et 3 structures de zincblende : Antimoniure d’aluminium (AlSb), Phosphure de Gallium (GaP), Arséniure de Gallium (GaAs) est calculée. Nous choisissons d’utiliser la méthode pseudopotentielle empirique avec le même modèle adopté par Cohen et bergstresser. Le modèle est codé à l’aide du langage de programmation Fortran et la diagonale est élaborée à l’aide des bibliothèques LAPACK. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/PH/2020/14
dc.title Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium en_US
dc.type Thesis en_US


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