Calcul ab-initio des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs : GaP et AlP

Abstract

Dans ce mémoire, nous avons étudié les propriétés structurales et électroniques du phosphure de gallium et phosphure d’aluminium (GaP et AlP) qui sont des semi-conducteurs de type III-V dans la phase zinc blende (B3). Nous avons utilisé un calcul ab-initio en utilisant le code Abinit basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT combinée avec la méthode des pseudopotentiels. Les équations de Kohn-Sham ont été résolues d’une manière self-consistante en utilisant une base onde planes implantée dans le code ABINIT. Pour le traitement du terme d’échange et de corrélation, nous avons utilisé l’approximation de la densité locale LDA. Nous avons étudiée aussi les propriétés électronique (la structure de bande d’énergie et la densité d’états électronique) pour détermines le gap d’énergie. Nos résultats sont on bon accord avec les valeurs expérimentales et d’autres valeurs théoriques.