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dc.contributor.author |
DJABOU Rihab El Houda, BEZTOUT Rima |
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dc.date.accessioned |
2021-07-07T12:18:24Z |
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dc.date.available |
2021-07-07T12:18:24Z |
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dc.date.issued |
2015 |
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dc.identifier.uri |
https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/865 |
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dc.description.abstract |
Les travaux menés dans cette mémoire ont montré que les calculs des propriétés structurales, et
électroniques de Silicium dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité, en incluant le
formalisme du pseudo potentiels avec ondes planes implantes dans le code CASTEP sont tout a fait
adaptes a l’étude des propriétés structurales et électroniques de Si, nos résultats sont très proches au
résultats trouvés auparavant, ceci donne un reflet clair de la fiabilité de nos méthodes de simulation.
Nous espérons que nous avons fait une petite contribution à l’étude des propriétés de silicium
cristallin. |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.publisher |
Faculté des Sciences et Technologies |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
;SM/L/PH/2015/08 |
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dc.title |
Propriétés structurales et électroniques des Matériaux photovoltaïques: Le Silicium |
en_US |
dc.type |
Thesis |
en_US |
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