Etude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V (GaN)

Abstract

Dans ce travail, nous avons fait une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et dynamiques des semiconducteurs type III-V et particulièrement le nitrure de Gallium (GaN) dans les phases Zinc blende et/ou wurtzite. Nos calculs ont été faits dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) à l’aide des codes CASTEP et ABINIT qui sont basés sur les pseudopotentiels et les ondes planes. Nos résultats présentent un bon accord avec d’autres résultats théoriques et expérimentaux pour les propriétés structurales et électroniques, contrairement à ceux relatifs aux propriétés vibrationnelles du GaN.