Résumé:
Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant : Silicium (Si), Germanium (Ge), Étain (Sn), et 3 structures de zincblende : Antimoniure d’aluminium (AlSb), Phosphure de Gallium (GaP), Arséniure de Gallium (GaAs) est calculée. Nous choisissons d’utiliser la méthode pseudopotentielle empirique avec le même modèle adopté par Cohen et bergstresser. Le modèle est codé à l’aide du langage de programmation Fortran et la diagonale est élaborée à l’aide des bibliothèques LAPACK.
