Parcourir par sujet "HEMT : transistors à grands mobilité électronique GaN : nitrure de gallium ADS : Advanced Design System LNA : amplificateurs a faible bruit"
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Parcourir par sujet "HEMT : transistors à grands mobilité électronique GaN : nitrure de gallium ADS : Advanced Design System LNA : amplificateurs a faible bruit"
A l'heure actuelle, les transistors à hétérostructures HEMT (High Electron Mobility
Transistor) à base de nitrure de gallium apparaissent comme les meilleurs candidats pour les
applications hyperfréquences, de puissance, ...