Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Saadi, Boudrouaz
dc.date.accessioned 2021-09-19T08:54:33Z
dc.date.available 2021-09-19T08:54:33Z
dc.date.issued 2014
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1005
dc.description.abstract La recherche dans le domaine des sciences des matériaux et en particulier des semiconducteurs a pris une ampleur considérable grâce à l‘enjeu économique du traitement de l‘information comme l’invention de transistor en 1947 depuis les chercheurs n’ont cessé de miniaturiser électronique. La technologie moderne basée sur l’amélioration de techniques de fabrication pour avoir meilleur fiabilité. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/L/PH/2014/03
dc.subject Transistor, semi-conducteurs, jonction PN, MBE, MOCVD. en_US
dc.title Caractérisation et fabrication de transistor bipolaire de la classe III-V en_US
dc.type Thesis en_US


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée

Chercher dans le dépôt


Parcourir

Mon compte