Caractérisation du transistor bipolaire à grille isolée IGBT

Abstract

Les sujets d'actualité tels que l'électro mobilité et les énergies renouvelables exigent le développement de dispositifs d'alimentation à haute tension et des pertes de commutation minimales. Parmi les dispositifs de puissance sur le marché actuel, les IGBT ont acquis beaucoup d'importance dans ce domaine par rapport à leurs concurrents tels que les MOSFETS de puissance et les thyristors Ce travail porte sur la simulation du transistor IGBT, Le but de Ce travail est l'étude des transistors IGBT à couches minces et de l'impact de différentes tailles de régions critiques sur leurs caractéristiques électriques. En optimisant les tailles de régions critiques du dispositif. En particulier, l'étude de l'impact de ces paramètres pour la tension de claquage. Un modèle physique bidimensionnel d’IGBT a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS). Les valeurs optimales de chaque simulation sont illustrées graphiquement et discutées. Les résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour développer des composants ou des dispositifs performants à base d’IGBTs. Enfin, une conclusion pour notre simulation est présentée.