Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Conception d'un amplificateur faible bruit (LNA) a base du transistor GaN HEMT sous ADS (Advanced Design System)

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dc.contributor.author Fouad, KIHAL
dc.date.accessioned 2021-11-03T13:47:22Z
dc.date.available 2021-11-03T13:47:22Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1075
dc.description.abstract Les applications qu’englobe le domaine des radiofréquences, reposent sur une chaine de transmission émetteur-récepteur. L’amplificateur à faible bruit LNA constitue l’amplificateur de tête dans une chaine de réception. Le but de ce travail est d’étudier un amplificateur à LNA à base de transistor HEMT pour des applications en hyperfréquences. Un transistor HEMT, à base de matériaux GaN, AlGaN avec une longueur de grille de 50 nm a est utilisé. Les paramètres du modèle équivalent petit signal ont été extraits et implémentés dans deux circuits amplificateurs : un LNA mono-étage à source commune et un LNA double-étage à source commune. La simulation de ces circuits a montré une stabilité inconditionnelle sur la bande de fréquences (2.4-5.2 GHz). Le LNA mono-étage a exhibé un gain maximum de 12.7dB avec un facteur de bruit de 0.91dB et une linéarité jusqu’à une puissance en sortie de 5.45dBm. Tandis que pour le LNA double-étage, un gain maximum de 23.3dB a été obtenu avec un facteur de bruit de 1.2dB et une linéarité jusqu’à une puissance en sortie de 15dBm. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;EL/M/2021/32
dc.title Conception d'un amplificateur faible bruit (LNA) a base du transistor GaN HEMT sous ADS (Advanced Design System) en_US
dc.type Thesis en_US


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