Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-X N

dc.contributor.author	Messaoudi Oumelkhir
dc.date.accessioned	2021-11-08T12:20:12Z
dc.date.available	2021-11-08T12:20:12Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1130
dc.description.abstract	Le but de notre travail est d’étudier les propriétés optoélectroniques (optiques et électroniques) de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-x N dans la structure Zinc blende. Ces alliages ont un intérêt important dans l’électronique. Notre calcule est basé sur la Méthode Pseudopotentiel Empirique (EPM) couplée à l’Approximation Cristal Virtuel (VCA). Nos résultats pour le gap énergétique, le structure des bandes, l’indice de réfraction et la constante diélectrique sont en très accord avec l’expérience	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/2021/09
dc.title	Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’alliage semi-conducteur ternaire Yx Ga1-X N	en_US
dc.type	Thesis	en_US