ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs

dc.contributor.author	Azzoug Ayoub
dc.date.accessioned	2022-11-20T09:08:30Z
dc.date.available	2022-11-20T09:08:30Z
dc.date.issued	2022-06-26
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/2635
dc.description.abstract	Parmi les dispositifs semiconducteurs le MOSFET prendre une grande parti sur l’évolution électronique moderne, dans cette mémoire on discussion la physique fondamentale des semiconducteurs, et de MOSFET, puis on précisé les états énergétiques des électrons dans la bande de conduction sans et sous l’application d’un champ magnétique dans l’approximation d’un puits infni pour un transistor de type MOSFET de l’arséniure de gallium (GaAs) à grille oxydé.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	faculté des sciences et de la technologie univ bba	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/04
dc.title	ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs	en_US
dc.type	Thesis	en_US