Etudes de premier principe des propriétés structurales, électroniques et élastiques des composés XP (X=B, Al, Ga)

Abstract

umé : Nous avons fait une calcule ab initio (DFT) des propriétés structurelles, électronique et élastiques des composée de type III-V à base de phosphores XP avec X=B, Al, Ga. Ce travail vise à fournir une étude computationnelle des propriétés structurelles, électronique et élastiques des semi-conducteurs à base de phosphores III-V (BP, AlP et GaP). La combinaison de CASTEP, des approximations GGA et de la méthode PW-PP offre une approche puissante et fiable pour étudier ces propriétés avec précision. Les résultats obtenus amélioreront notre compréhension de ces matériaux et ouvriront la voie à leurs applications potentielles dans divers domaines, notamment l'électronique, l'optoélectronique et le génie mécanique.