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  • Propriétés électriques de la barrière Schottky non homogène en carbure de tungstène sur 4H-SiC 
    Chitti Mohamed (faculté des sciences et de la technologie univ bba, 2022-06)
    Dans ce travail, le comportement électrique de la barrière Schottky en carbure de tungstène (WC) sur 4H-SiC a été étudié. Les caractéristiques électriques sont analysées sur la base du modèle d'émission thermionique ...
  • Propriétés mécaniques de l’alliage SiGeC 
    Belhaddad Rima (Faculté des Sciences et Technologies, 2021-07-12)
    Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés mécanique de l’alliage ternaire SixGe1-xC en fonction de la pression en utilisant le calcul Ab-initio (premier principe) basé sur la théorie de la fonctionnelle de densité ...
  • Propriétés mécaniques de l’alliage SiGeC 
    Belhaddad Rima (Faculté des Sciences et Technologies, 2021-07-12)
    Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés mécanique de l’alliage ternaire SixGe1-xC en fonction de la pression en utilisant le calcul Ab-initio (premier principe) basé sur la théorie de la fonctionnelle de densité ...
  • Propriétés structurales et électroniques des Matériaux photovoltaïques: Le Silicium 
    DJABOU Rihab El Houda, BEZTOUT Rima (Faculté des Sciences et Technologies, 2015)
    Les travaux menés dans cette mémoire ont montré que les calculs des propriétés structurales, et électroniques de Silicium dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité, en incluant le formalisme du pseudo ...
  • Propriétés structurales, électroniques et magnétiques des composés nanométriques 
    Hamadouche Amira (Faculté des Sciences et Technologies, 2021-09-14)
    Nous avons effectué dans ce travail de master des simulations en employant la méthode ab-initio dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) utilisant l’approximation de gradient généralisé (GGA) et ...
  • ransistor à effet de champ à grille oxydée (MOSFET) de GaAs 
    Azzoug Ayoub (faculté des sciences et de la technologie univ bba, 2022-06-26)
    Parmi les dispositifs semiconducteurs le MOSFET prendre une grande parti sur l’évolution électronique moderne, dans cette mémoire on discussion la physique fondamentale des semiconducteurs, et de MOSFET, puis on précisé ...
  • Rapport d'intensité ⁄ pour des éléments de numéro atomique 11≤Z≤96 induit par des photons: Calcul des Valeurs Recommandés 
    Samia, MESSAOUDI (Faculté des Sciences et Technologies, 2019-09-15)
    Dans ce travail, nous présentons une compilation des valeurs mesurées du rapport d’intensité Kβ/Kαinduites par les photons publiées dans la littérature de 1969 à 2018. Au cours de la période considérée, nous avons trouvé ...
  • Réalisation et modélisation d'un panneau hybride photovoltaïque thermique PV/T 
    SADAOUI Kheira (faculté des sciences et de la technologie* univ bba, 2023-07-10)
    Les capteurs solaires hybride PV/T, produisent à la fois de l'électricité à partir de l'énergie solaire photovoltaïque et de la chaleur à partir de l'énergie thermique générée par ces capteurs solaires thermovoltaïques. ...
  • Résolution de l’équation Hartree-Fock, une approche numérique 
    HOUDA, ZIAD (Faculté des Sciences et Technologies, 2018)
    Le formalisme de la seconde quantification est utilisé pour dériver l’équation Hartree-Fock. L’efficacité et la simplicité de ce formalisme pour aboutir au résultat final est mis en relief. L’implémentation numérique de ...
  • Sabrina 
    BELHADDAD, Sabrina (Faculté des Sciences et Technologies, 2015-06-10)
    Les rayons X présentent un outil très intéressant dans le domaine de la recherche scientifique, spécialement dans la détermination des propriétés structurales des matériaux. Ce domaine étant très vaste nécessite des moyens ...
  • Simulation des propriétés physiques des nanomatériaux à base de carbone 
    Imene, DRIAI (Faculté des Sciences et Technologies, 2018-07-02)
    Dans ce travail, nous avons effectué une recherche afin de dévoilé le monde des nanomatériaux à base de carbone et leur méthodes de caractérisation, spécialement, les méthodes ab-initio. Comme exemple de ces méthodes, nous ...
  • Simulation d’un diagramme de diffraction des Rayons X par les poudres 
    Harouta Ilham et Belmaloufi Nadjet (Faculté des Sciences et Technologies, 2017-07-02)
    Le thème principal de ce mémoire repose sur la simulation d’un diagramme de diffraction sur un poudre du composée Pbso4.Ensuite nous avons appliqué la méthode de Le étant une méthode extrêmement importante. Après plusieurs ...
  • SIMULATION MONTE CARLO DES EFFETS DE LA CIBLE SUR LES PRODUITS DE LA REACTION 48 208 Ca  Pb 
    Toukali Asma & Satouri Ibitssem (Faculté des Sciences et Technologies, 2017-07-02)
    Nous présentons dans ce mémoire les résultats de la simulation Monte Carlo du phénomène de perte d’énergie et straggling angulaire dans une cible de Plomb (208) bombardée par un noyau de Calcium (48) pour la production ...
  • Simulation Monte-Carlo d’une source triple α Pu-Am-Cm à l’aide du logiciel Maple. 
    BELAIBA ZEKRI (Faculté des Sciences et Technologies, 2015-06-14)
    ans ce mémoire de master on se propose d’étudier la simulation Monte-Carlo d'une source standard triple alpha (α) composée d'un mélange de trois émetteurs α communément utilisés dans le domaine de la spectroscopie α en ...
  • SIMULATOIN NUMERIQUE DES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES DES SEMI-CONDUCTEURS II-VI CdTe ET ZnTe. 
    Korichi Kenza (Faculté des Sciences et Technologies, 2015-06-16)
    ans ce étude nous avons utilisé un calcul Ab initio fondé sur la théorie de DFT combinée avec la méthode de pseudo potentiel en utilisant le code appelé Abinit , ainsi que l’approximation de la densité local LDA , dans le ...
  • Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium 
    Abderrahim, Siassi (Faculté des Sciences et Technologies, 2020)
    Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant ...
  • Solution du modèle de Cohen Bergstresser pour le silicium 
    Siassi, Abderrahim (Faculté des Sciences et Technologies, 2020)
    Le calcul de la structure de bande électronique pour les semi-conducteurs est très utile pour connaître leurs caractéristiques. Dans cette thèse, la structure de bande électronique pour 3 cristaux de structures de diamant ...
  • Solutions des équations Hartree-Fock sur une base gaussienne pour la molécule d’hydrogène 
    Moufida, AYAD (Faculté des Sciences et Technologies, 2019)
    Un calcul Hartree Fock à été élaborée pour la molécule d’hydrogène, l’équation H.F est développée sur une base Gaussienne pour aboutir aux formules analytiques traduites par la suite en langage Fortran, pour le cas de ...
  • Source laser actives à l’application ionique 
    Aziza, BOUBAITI (Faculté des Sciences et Technologies, 2014)
    L’objective de ce travail est l’étude des sources laser et ces applications ioniques. Après un rappel abrégé sur les lasers; nous présenterons les différentes solutions actuellement étudiées pour avoir l’effet d’une sources ...
  • Spectrométrie gamma ; Intérêt et Applications 
    Deffaf Zohir (Faculté des Sciences et Technologies, 2017-07-03)
    Dans ce travail on a choisi l’étude de la spectrométrie gamma car elle est la méthode d'analyse la plus simple, rapide et directe qui ne nécessite pas de préparations particulières, ce qui explique son utilisation ...

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