Abstract:
A l'heure actuelle, les transistors à hétérostructures HEMT (High Electron Mobility
Transistor) à base de nitrure de gallium apparaissent comme les meilleurs candidats pour les
applications hyperfréquences, de puissance, et haut température. La connaissance des éléments
du circuit équivalent petit et grand signal des transistors HEMT est crucial pour une conception
fiable de circuits analogique tels que les amplificateurs faible bruits (LNA ou ‘’low noise
amplifiers’’) et pour l’analyse de leurs performances haute fréquence. Dans ce travail un circuit
équivalent petit et grand signal d’un transistor GaN HEMT est mis au point pour la modélisation
et l’optimisation par l’algorithme génétique. La partie linéaire (petit signal) comporte un
ensemble de 17 éléments et chaque élément est réglé a l’aide du système ADS (Advanced
Design System) les valeurs intrinsèques et extrinsèques du modèle petit signal proposé sont
extraites à partir de mesure des paramètres S. Les résultats de la modélisation présentent un écart
de 4% par rapport aux valeurs mesurées, dans la partie non linéaire (grand signal) la source de
courant et les capacités Cgs et Cgd sont extraites à partir des équations bien définies. Les
résultats sont obtenus à partir d’une comparaison des valeurs mesurées et celle du modèle et le
résultat de la simulation mesure du composant HEMT avec une faible erreur de 2,1%.la bonne
concordance entre les paramètres mesure et celle du modèle confirme la validité de la méthode
génétique.
