Modélisation du transistor FET à base de semiconducteurs organiques

Abstract

L’utilisation des composés organiques comme matériaux actifs représente la prochaine génération technologique, cette nouvelle génération a dynamisé la recherche autour des transistors organiques à effet de champs (OFET) grâce à de nombreux avantages, et notamment : leur potentiel bas prix de fabrication et leur flexibilité. Cependant, les transistors organiques souffrent de nombreux défauts : courants faibles, l’injection de charges et la puissance dissipée, en dépit du développement et des progrès impressionnants dans leurs performances. De ce fait, la modélisation des dispositifs électroniques organiques constitue actuellement un axe de recherche très important et attractif à travers le monde. Ce travail porte sur la simulation du transistor organique, Le but de Ce travail est l'étude des transistors organiques à couches minces et de l'impact de différentes tailles de régions critiques sur leurs caractéristiques électriques. En optimisant les tailles de régions critiques du dispositif, la longueur du canal, la largeur du canal et également l'épaisseur de l'oxyde de grille. En particulier, l'étude de l'impact de ces paramètres pour la tension de seuil, Subthreshold Slope, Ion et transconductance maximale a été réalisée. Un modèle physique bidimensionnel d’OFET a été développé à l’aide du logiciel SILVACO (ATLAS). Les valeurs optimales de chaque simulation sont illustrées graphiquement et discutées. Les résultats acquis et les perspectives montrent l’intérêt de disposer d’outils de modélisation pour développer des composants ou des dispositifs performants à base d’OFETs. Enfin, une conclusion pour notre simulation est présentée