Etude des propriétés électroniques des semi-conducteurs de type ZAs (z=B, Al).

Abstract

Dans ce mémoire, nous avons étudié les propriétés électroniques de BAs et AlAs en utilisant un calcul ab-initio basé sur la théorie de la fonctionnelle de densité DFT combinée avec la méthode des pseudopotentiel. Les équations de Kohn-Sham ont été résolues d’une manière self consistente en utilisant une base d’ondes planes implantée dans le code ABINIT. Dans le traitement du terme d’échange et de corrélation, nous avons utilisé l’approximation de la densité locale LDA. Nos résultats sont en très bon accord avec les données expérimentales et avec les valeurs calculées par d'autres techniques ab-initio.