Etude des propriétés électroniques, optiques et diélectriques des semiconducteurs binaires InX (X= Sb, As, P et N)

Abstract

Dans ce travail, nous avons fait une étude théorique sur les propriétés électroniques, optiques et diélectriques des composés binairessemiconducteurs III-V à base d’Indium cristallisant dans la phase Zinc-blende à savoir : InSb, InAs, InN et InP. Dans notre étude nous avons utilisés la méthode des pseudopotentielles empirique. Nos résultats sont en très bon accord avec d’autres résultats expérimentaux et théoriques, ce qui a permis de conclure que la méthode adaptée dans cette étude est valide dans la description des états électroniques des semiconducteurs binaires.