Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique

dc.contributor.author	Zakaria, BOUNAB
dc.date.accessioned	2021-06-23T09:11:04Z
dc.date.available	2021-06-23T09:11:04Z
dc.date.issued	2020-10-13
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/679
dc.description.abstract	L‟objectif de ce travail est l‟étude du désordre induit par implantation ionique dans le phosphure d‟indium (InP). La technique utilisée est la spectrométrie Raman qui s‟avère bien adaptée pour ce genre d‟étude à travers la sensibilité de ses paramètres. Cette étude a permis de déterminer le flux critique d‟ions implantés pour la destruction totale du réseau (phénomène d‟amorphisation) et d‟estimer également la température de recuit pour la guérison du matériau.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/2020/05
dc.title	Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique	en_US
dc.type	Thesis	en_US