Simulation des propriétés et performances des cellules photovoltaïques en couches minces à base des matériaux semi-conducteurs CIGS

Abstract

Notre travail consiste en la simulation des performances d’une cellule solaire à base de semi-conducteurs Cu (In, Ga) Se2(CIGS). Les paramètres de la cellule sont principalement : le rendement quantique et les caractéristiques essentielles de la cellule : le rendement (η%), le facteur de forme (FF), la tension de circuit ouvert (Vco), la densité de courant de court-circuit (Jsc) Les effets de la variation de plusieurs paramètres tels que : la nature de couche fenêtre, le matériau absorbeur, l’épaisseur des différentes couches, la présence de défauts, …etc., ont été étudiés et discutés. Cette étude a montrée également que le logiciel SCAPS-1Dutilisé est un outil très pratique et permet de suivre l’évolution des performances des cellules avec succès.