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dc.contributor.author |
TOUIDJINE SALIHA, BOUAISSI MERIEM |
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dc.date.accessioned |
2021-07-07T11:58:36Z |
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dc.date.available |
2021-07-07T11:58:36Z |
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dc.date.issued |
2015-06 |
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dc.identifier.uri |
https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/860 |
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dc.description.abstract |
Dans ce travail en présente un rappelle sur les principes de fonctionnement du transistor bipolaire qui est un composant actif de base pour l’électronique. En haute fréquence, il est l‘élément essentiel dans la plupart des circuits intégrés analogique ou numérique. Il s‘agit de deux jonctions PN tête-bêche présentant une région commune, donc comme première étape on a présenté la jonction PN, qui est la structure de base qui permet de réaliser le transistor bipolaire. Le principe de fonctionnement des deux transistors NPN et PNP on mode actif normale est discuter, ces deux type son complémentaire mais le transistor NPN présente des caractéristique meilleures que le PNP. On a également présenté la caractéristique électrique de transistor bipolaire, technologie de fabrication et application. |
en_US |
dc.language.iso |
fr |
en_US |
dc.publisher |
Faculté des Sciences et Technologies |
en_US |
dc.relation.ispartofseries |
;SM/L/PH/2015/01 |
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dc.title |
TRANSISTOR BIPOLAIRE |
en_US |
dc.type |
Thesis |
en_US |
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