Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique
Date
2020-10-13
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Faculté des Sciences et Technologies
Abstract
L‟objectif de ce travail est l‟étude du désordre induit par implantation ionique dans le phosphure d‟indium (InP).
La technique utilisée est la spectrométrie Raman qui s‟avère bien adaptée pour ce genre d‟étude à travers la sensibilité de ses paramètres.
Cette étude a permis de déterminer le flux critique d‟ions implantés pour la destruction totale du réseau (phénomène d‟amorphisation) et d‟estimer également la température de recuit pour la guérison du matériau.