Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique

Abstract

L‟objectif de ce travail est l‟étude du désordre induit par implantation ionique dans le phosphure d‟indium (InP). La technique utilisée est la spectrométrie Raman qui s‟avère bien adaptée pour ce genre d‟étude à travers la sensibilité de ses paramètres. Cette étude a permis de déterminer le flux critique d‟ions implantés pour la destruction totale du réseau (phénomène d‟amorphisation) et d‟estimer également la température de recuit pour la guérison du matériau.