Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique

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dc.contributor.author Zakaria, BOUNAB
dc.date.accessioned 2021-06-23T09:11:04Z
dc.date.available 2021-06-23T09:11:04Z
dc.date.issued 2020-10-13
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/679
dc.description.abstract L‟objectif de ce travail est l‟étude du désordre induit par implantation ionique dans le phosphure d‟indium (InP). La technique utilisée est la spectrométrie Raman qui s‟avère bien adaptée pour ce genre d‟étude à travers la sensibilité de ses paramètres. Cette étude a permis de déterminer le flux critique d‟ions implantés pour la destruction totale du réseau (phénomène d‟amorphisation) et d‟estimer également la température de recuit pour la guérison du matériau. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/PH/2020/05
dc.title Etude par spectrométrie Raman du désordre dans l’InP dopé par implantation ionique en_US
dc.type Thesis en_US


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