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Etude des propriétés structurales, optiques et électroniques de Nitrure de Gallium (GaN) : Base de fabrication des cellules solaires
(Faculté des sciences et de la technologie, 2025-06-28) Ballache bilal
Ce mémoire présente une étude théorique approfondie des propriétés électroniques et optiques du nitrure de gallium (GaN) en phase B1 (structure rocksalt), un matériau semi-conducteur prometteur pour les applications photovoltaïques à haute performance. Grâce à des calculs ab initio réalisés via le logiciel CASTEP, basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), nous avons déterminé la structure de bande, la densité d’états, l’absorption optique, la réflectivité, la fonction diélectrique et la conductivité optique du GaN à pression ambiante et sous pression hydrostatique. L’objectif est d’évaluer la pertinence de la phase B1 dans le cadre des cellules solaires tandem. Les résultats confirment que le GaN-B1 possède un gap indirect et une forte stabilité sous pression, ce qui le rend adapté pour les couches supérieures des cellules multi-jonctions.