Browsing by Author "IMANE, BOUFERMACHE"
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Item Conception d’un mélangeur RF (RF Mixer) en Technologie CMOS 180 nm(Faculté des Sciences et Technologies, 2021) IMANE, BOUFERMACHELe présent travail porte sur l'étude et la simulation d'un mélangeur radiofréquence (RF) en technologie CMOS dédié à des applications sans fil. Le mélangeur est un élément de base de toute chaine RF de transmission de données permettant l'émission et la réception d'information RF. Parmi les mélangeurs existants, les mélangeurs actives, doublement équilibrés, sont les plus utilisés dans le domaine des circuits intégrés. Ce type de mélangeur présente des avantages intéressants tels qu'un gain de conversion supérieur à 1 et un facteur de bruit modéré. C'est dans discipline que nous présentons dans ce mémoire l'étude et la simulation d'un mélangeur RF active et doublement équilibré basé sur une cellule de transconductance de Gilbert. Le circuit est implémenté en technologie CMOS 180 nm/1.8 V et caractérisé en utilisant des modèles de transistors MOS BISM et le simulateur libre 'LTspice' de la compagnie 'Linear Technology'Item Conception d’un mélangeur RF (RF Mixer) en Technologie CMOS 180 nm(Faculté des Sciences et Technologies, 2021) IMANE, BOUFERMACHELe présent travail porte sur l'étude et la simulation d'un mélangeur radiofréquence (RF) en technologie CMOS dédié à des applications sans fil. Le mélangeur est un élément de base de toute chaine RF de transmission de données permettant l'émission et la réception d'information RF. Parmi les mélangeurs existants, les mélangeurs actives, doublement équilibrés, sont les plus utilisés dans le domaine des circuits intégrés. Ce type de mélangeur présente des avantages intéressants tels qu'un gain de conversion supérieur à 1 et un facteur de bruit modéré. C'est dans discipline que nous présentons dans ce mémoire l'étude et la simulation d'un mélangeur RF active et doublement équilibré basé sur une cellule de transconductance de Gilbert. Le circuit est implémenté en technologie CMOS 180 nm/1.8 V et caractérisé en utilisant des modèles de transistors MOS BISM et le simulateur libre 'LTspice' de la compagnie 'Linear Technology'.