Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’’alliage semi-conducteur ternaire AlxGa1-aSb

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dc.contributor.author Amal, Bouguerra Fediane
dc.date.accessioned 2021-11-03T13:22:49Z
dc.date.available 2021-11-03T13:22:49Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1071
dc.description.abstract Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés électroniques des alliages semi-conducteurs binaires : GaSb, AlSb ; et leurs alliages ternaires : Alx Ga1-x Sb. Ces alliages ont un intérêt important pour concevoir des dispositifs optoélectroniques tels que les diodes électroluminescentes et les diodes laser. Nos calculs sont basés sur la méthode du pseudo-potentiel empirique (EPM) combinée avec l’approximation. L’effet du désordre sur les propriétés électroniques de l’alliage ternaire Alx Ga1-x Sb n’a pas été pris en compte. Nos résultats, pour les gaps directs et indirects, les structures de bandes, et la masse effective des composés binaires AlSb, GaSb et leurs alliages ternaires cristallisant dans la phase zinc-blende, sont en très bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;EL/M/2021/28
dc.subject Alliage ternaire ,méthode du pseudo-potentiel empirique (EPM), zinc-blende en_US
dc.title Contribution à l’étude des propriétés optoélectroniques de l’’alliage semi-conducteur ternaire AlxGa1-aSb en_US
dc.type Thesis en_US


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