Abstract:
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés électroniques des alliages semi-conducteurs binaires : GaSb, AlSb ; et leurs alliages ternaires : Alx Ga1-x Sb.
Ces alliages ont un intérêt important pour concevoir des dispositifs optoélectroniques tels que les diodes électroluminescentes et les diodes laser.
Nos calculs sont basés sur la méthode du pseudo-potentiel empirique (EPM) combinée avec l’approximation. L’effet du désordre sur les propriétés électroniques de l’alliage ternaire Alx Ga1-x Sb n’a pas été pris en compte.
Nos résultats, pour les gaps directs et indirects, les structures de bandes, et la masse effective des composés binaires AlSb, GaSb et leurs alliages ternaires cristallisant dans la phase zinc-blende, sont en très bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles.
