Abstract:
Dans ce travail, nous avons déterminé directement la masse effective des électrons
dans le 4H-SiC en appliquant la méthode I-V à la diode Schottky à base de 4H-SiC.
La masse effective diminue avec l'augmentation de la température. La valeur de la
masse effective des électrons à température ambiante a été déterminée
expérimentalement comme m* = 0,21 m0. Un très bon accord a été trouvé entre notre
résultat expérimental et les autres valeurs expérimentales de masse effective
d'électrons m* = 0,19 m0 et m* = 0,20 m0 obtenues en utilisant d'autres méthodes.
