Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Détermination de la masse effective des électrons pour le carbure de silicium (4H-SiC) par la méthode I-V

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dc.contributor.author CHAREF SAMIR
dc.date.accessioned 2021-11-09T11:57:34Z
dc.date.available 2021-11-09T11:57:34Z
dc.date.issued 2021-07-10
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/1160
dc.description.abstract Dans ce travail, nous avons déterminé directement la masse effective des électrons dans le 4H-SiC en appliquant la méthode I-V à la diode Schottky à base de 4H-SiC. La masse effective diminue avec l'augmentation de la température. La valeur de la masse effective des électrons à température ambiante a été déterminée expérimentalement comme m* = 0,21 m0. Un très bon accord a été trouvé entre notre résultat expérimental et les autres valeurs expérimentales de masse effective d'électrons m* = 0,19 m0 et m* = 0,20 m0 obtenues en utilisant d'autres méthodes. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/CH/2021/07
dc.title Détermination de la masse effective des électrons pour le carbure de silicium (4H-SiC) par la méthode I-V en_US
dc.type Thesis en_US


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