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Browsing Filière Physique by Author " DRAIDI LAHSSEN"

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  •  DRAIDI LAHSSEN (Faculté des Sciences et Technologies, 2015)
    l’objectif initial de ce travail explique le concept du TBH "SiGe" constitue une évolution du transistor à homojonction sur silicium, qui consiste à introduire dans la couche de base une proportion de germanium (Ge), dont ...

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