Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x

Abstract

l’objectif initial de ce travail explique le concept du TBH "SiGe" constitue une évolution du transistor à homojonction sur silicium, qui consiste à introduire dans la couche de base une proportion de germanium (Ge), dont le but est de former un alliage SixGe1-x. Cette évolution du matériau de base a plusieurs avantages pour la structure de bandes et les propriétés de transport.