Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs.

Abstract

Le travail de ce mémoire porte sur l’étude des différentes distributions ,ions implantés ,phonons et atomes déplacés, sous bombardement ionique dans le GaAs. Le programme SRIM nous permet de déterminer les différentes grandeurs en fonction des divers paramètres (énergie, masse de l’ion et celle de la cible). Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d’interaction ion-matière (pouvoirs d’arrêt).