Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs.

dc.contributor.author	Haddouche Samah
dc.date.accessioned	2024-10-14T14:09:30Z
dc.date.available	2024-10-14T14:09:30Z
dc.date.issued	2024-06-23
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/5583
dc.description.abstract	Le travail de ce mémoire porte sur l’étude des différentes distributions ,ions implantés ,phonons et atomes déplacés, sous bombardement ionique dans le GaAs. Le programme SRIM nous permet de déterminer les différentes grandeurs en fonction des divers paramètres (énergie, masse de l’ion et celle de la cible). Les résultats des simulations sont présentés et discutés en tenant compte des divers phénomènes d’interaction ion-matière (pouvoirs d’arrêt).	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	faculté des sciences et de la technologie* univ bba	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/PH/2024/12
dc.subject	SRIM ,GaAs ,implantions ionique	en_US
dc.title	Simulations des profils des ions implantés sous bombardment ionique dans le GaAs.	en_US
dc.type	Thesis	en_US