Abstract:
Dans ce travail, nous avons fait une étude ab-initio des propriétés structurales, électroniques et
dynamiques des semiconducteurs type III-V et particulièrement le nitrure de Gallium (GaN) dans les
phases Zinc blende et/ou wurtzite. Nos calculs ont été faits dans le cadre de la théorie de la
fonctionnelle de la densité (DFT) à l’aide des codes CASTEP et ABINIT qui sont basés sur les
pseudopotentiels et les ondes planes.
Nos résultats présentent un bon accord avec d’autres résultats théoriques et expérimentaux pour les
propriétés structurales et électroniques, contrairement à ceux relatifs aux propriétés vibrationnelles du
GaN.
