Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x

dc.contributor.author	 DRAIDI LAHSSEN
dc.date.accessioned	2021-07-07T09:22:49Z
dc.date.available	2021-07-07T09:22:49Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.uri	https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/842
dc.description.abstract	l’objectif initial de ce travail explique le concept du TBH "SiGe" constitue une évolution du transistor à homojonction sur silicium, qui consiste à introduire dans la couche de base une proportion de germanium (Ge), dont le but est de former un alliage SixGe1-x. Cette évolution du matériau de base a plusieurs avantages pour la structure de bandes et les propriétés de transport.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Faculté des Sciences et Technologies	en_US
dc.relation.ispartofseries	;SM/M/CH/2017/05
dc.title	Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x	en_US
dc.type	Thesis	en_US