Dépôt Institutionnel de l'Université BBA

Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x

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dc.contributor.author  DRAIDI LAHSSEN
dc.date.accessioned 2021-07-07T09:22:49Z
dc.date.available 2021-07-07T09:22:49Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.uri https://dspace.univ-bba.dz:443/xmlui/handle/123456789/842
dc.description.abstract l’objectif initial de ce travail explique le concept du TBH "SiGe" constitue une évolution du transistor à homojonction sur silicium, qui consiste à introduire dans la couche de base une proportion de germanium (Ge), dont le but est de former un alliage SixGe1-x. Cette évolution du matériau de base a plusieurs avantages pour la structure de bandes et les propriétés de transport. en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Faculté des Sciences et Technologies en_US
dc.relation.ispartofseries ;SM/M/CH/2017/05
dc.title Le Transistor Bipolaire de La classe 〖Ge〗_(1-x)-〖Si〗_x en_US
dc.type Thesis en_US


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